碳化矽MOSFET
产品详情

碳化矽MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化矽MOSFET器件替代傳統矽IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。

基本半導體第二代碳化矽MOSFET系列產品基於6英寸晶圓平臺開發，比上一代產品在導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。

應用領域：新能源汽車電機控制器、車載電源、太陽能逆變器、太陽能儲能設備、充電設備、UPS、PFC電源等領域。


二代MOS封装图.png


產品優勢


未标题-1-01.png未标题-1-02.png未标题-1-03.png未标题-1-04.png
更低的導通電阻更低的開關損耗更高的可靠性更高的工作結溫


碳化矽MOSFET

Voltage

RDS(on)

(mΩ)

TO-247-3

TO-247-4

TOLL

TO-263-7

SOT-227


650V40B3M040065HB3M040065Z‍B3M040065L

樣品申請

1200V

160

B2M160120H‍

B‍2M160120Z‍


B2M160120R‍


樣品申請

80

B2M080120H‍

AB2M080120H‍‍

B2M080120Z‍‍

AB2M080120Z


B2M080120R‍‍

AB2M080120R


樣品申請

65

B2M065120H

B2M065120Z


B2M065120R


樣品申請

40

B2M040120H

B2M040120Z‍

B‍3M040120Z

AB2M040120Z


B2M040120R‍

AB2M040120R


樣品申請‍
30B2M030120H

B2M030120Z


B2M030120‍RB2M030120‍N樣品申請‍‍
13.5B3M013C120H*B3M013C120Z


樣品申請
11




B2M012120N

樣品申請‍
1700V

600

B2M600170H

B2M600170Z


B2M600170R


樣品申請‍‍‍

2000V

24

Coming soon

樣品申請‍‍

      : Automotive

      * : Under development, to be released.
技术文章
更多>>
SiC科普小课堂 | 硅MOSFET与碳化硅MOSFET的栅氧差异深度解析
2025-03-26
SiC科普小课堂 | 栅氧电场强度与寿命有什么关系？什么是F-N遂穿现象？
2025-02-14
SiCer小课堂 | Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块——革新您的电源体验！
2024-11-20
科普视频 | 碳化硅肖特基二极管的额定电流是如何定义出来的？
2024-09-27
科普视频 | 什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？
2024-08-09
新品推荐 | 基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片
2024-06-20
产品速递 | 工业级Pcore™2 E2B碳化硅MOSFET半桥模块
2024-04-10
SiC科普小课堂 | 谈混合式IGBT——硅FRD拖累IGBT的Eon
2023-12-15
生產製造
碳化矽功率元件
新聞動態
關於我們
汽車級碳化矽功率模組製造基地
碳化矽肖特基二極體
碳化矽MOSFET
晶片和晶圓服務
汽車級全碳化矽功率模組
公司新闻
行業新聞
公司介紹
招聘職位
聯繫方式
諮詢留言
廣東省深圳市南山區高新園區高新南七道國家工程實驗室大樓B座11層
+86-755-22670439
+886 -981-107-999(台湾) info@basicsemi.com
chenhuiming@basicsemi.com（台湾）

關注微信公眾號

深圳基本半導體股份有限公司
媒體報導
品質管制
品質方針與體系認證
可靠性認證
碳化矽功率器件測試實驗室