碳化矽MOSFET
产品详情

碳化矽MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化矽MOSFET器件替代傳統矽IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。

基本半導體第二代碳化矽MOSFET系列新品基於6英寸晶圓平臺開發，比上一代產品在導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。

應用領域：新能源汽車電機控制器、車載電源、太陽能逆變器、太陽能儲能設備、充電設備、UPS、PFC電源等領域。


二代MOS封装图.png


產品優勢


未标题-1-01.png未标题-1-02.png未标题-1-03.png未标题-1-04.png
更低的導通電阻更低的器件開關損耗更高的可靠性更高的工作結溫


碳化矽MOSFET

Generation

Voltage

RDS(on)

TO-247-3

TO-247-4

TO-247PLUS-4

TO-263-7

SOT-227



NEW.png

Gen 2



1200V

160mΩ

B2M160120H

B2M160120Z‍


B2M160120R


樣品申請

80mΩ

B2M080120H

B2M080120Z


B2M080120R‍


樣品申請

65mΩ

B2M065120H

B2M065120Z


B2M065120R


樣品申請

40mΩ

B2M040120H

B2M040120Z


B2M040120R


樣品申請

35mΩ



B2M035120YP



樣品申請

20mΩ

*B2M020120H

*B2M020120Z

B2M020120Y

*B2M020120R

*B2M020120N

樣品申請


12mΩ





B2M012120N

樣品申請
Gen 1
1200V
160mΩB1M160120HC



樣品申請‍

80mΩ

B1M080120HCB1M080120HK


樣品申請‍

32mΩ

B1M032120HC

B1M032120HK




樣品申請‍

   Note1：帶 * 標記產品規劃中         

   Note2：第一代碳化矽MOSFET：不建議在新設計上使用             

   Note3：點擊藍色型號可下載規格書
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