混合碳化矽分立器件

产品详情

基本半導體混合碳化矽分立器件將傳統的矽IGBT和碳化矽肖特基二極體結合封在同一個封裝上,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的方案。這新的混合式IGBT在部分應用中可以替代傳統的IGBT,使IGBT的開關損耗大幅降低,適用於儲能(ESS)、車載充電器(OBC)、不斷電供應系統(UPS)、太陽能逆變器等領域。



混合碳化硅分立器件灰底.png


參數列表


Part   Number

BV

(V)

Data

Sheet

IC(A)

@100℃

VCE (sat)

(V)

VF

(V)

IF(A)

@100℃

Eon

(mJ)

Eoff

(mJ)

Package Name


微信图片_20230512174424.pngBGH75N65HS1650
333.png751.64
1.40
74
2.12
1.31
TO-247-3樣品申請

BGH50N65HF1650333.png501.551.5134
0.950.67TO-247-3樣品申請

BGH50N65HS1650333.png501.551.5147
0.950.67TO-247-3樣品申請

BGH50N65ZF1650333.png
501.551.51340.40.62TO-247-4


樣品申請




BGH75N65HF1
650333.png
751.61.51472.041.19TO-247-3樣品申請

BGH75N65ZF1650333.png
751.61.5471.211.3TO-247-4樣品申請

BGH40N120HS1
1200
\401.9
1.49
45
1.62
1.2
TO-247-3樣品申請

BGH75N120HF1

1200
333.png75
2.2
1.47
45
5.39
4.37
TO-247-3樣品申請

       




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