碳化矽肖特基二極體

产品详情

碳化矽作為一種寬禁帶半導體材料,與傳統的矽基器件相比,具有更優越的性能。碳化矽的寬禁帶 (3.26eV)、高臨界場 (3×106V/cm) 和高導熱係數 (4.9W/cm·K)使得功率半導體元件效率更高,運行速度更快,並且在設備的成本、體積、重量等方面都得到了降低。基本半導體碳化矽肖特基二極體,提供行業標準封裝,具有優越的性能和極高的工作效率。


碳化硅二极管最新


產品優勢

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無逆向恢復電流

抗突波電流能力強

高溫逆向漏電流低

抗崩潰效應高


產品清單


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樣品申請
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