产品推介丨34mm封装工业级碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2系列發表時間：2025-07-28 17:25
基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块，该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术，在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。 BMF80R12RA3产品与高速大电流IGBT在20kW逆变焊机应用工况中进行电力电子仿真对比。仿真数据表明，碳化硅MOSFET功率模块可在80kHz以上的开关频率下运行，且相较于IGBT，其总损耗还能再降低至50%左右。 此外，基本半导体针对34mm模块在逆变焊机的应用，可提供碳化硅MOSFET驱动板整体解决方案及其零件。 产品拓扑  产品特点 基本半导体第三代碳化硅MOSFET芯片技术 性能显著提升 低导通电阻 高温下RDS(on)表现优异，导通损耗更低，稳定性强 低开关损耗 支持高频运行，功率密度大幅提升 高工作结温 Tvj=175℃ 应用领域 高端工业电焊机 感应加热设备 工业变频器 电镀电源 产品列表  产品性能实测数据(BMF80R12RA3) 1. 静态参数测试  2. 动态参数测试  碳化硅MOSFET开关速度较快，常温和高温开关损耗较低； BMF80R12RA3在高压800V，大电流80A时，无论在常温或是高温下，碳化硅MOSFET本身以及体二极管的关断电压尖峰均在1200V以内，关断电压尖峰小。  BMF80R12RA3开关波形（Tj=150℃） 测试条件： VDC=800V; ID=80A; RG(on)=15Ω, RG(off)=8.2Ω, VGS(op)=-4V/+18V。  测试条件： VDC=800V; ID=160A; RG(on)=15Ω, RG(off)=8.2Ω, VGS(op)=-4V/+18V。  H桥硬开关拓扑电力电子仿真——焊机应用 1. H桥硬开关拓扑电力电子仿真(BMF80R12RA3) 电力电子仿真基于产品（器件或模块）的PLECS模型，模拟用户实际的工况条件和运行模式，根据产品的评估结果，判断其可行性，给用户在实战前一个非常好的参考。 仿真80℃散热器温度下，电焊机功率20kW工况下，在全桥拓扑中，我司BMF80R12RA3与传统IGBT模块的损耗表现。  2. 仿真结果(BMF80R12RA3)  仿真结论：BMF80R12RA3与高速IGBT的仿真数据相比，即使开关频率从传统IGBT的20kHz提升到碳化硅MOSFET的80kHz，在同样20kW的功率情况下，碳化硅的总损耗在B***模块的一半左右，整机效率提高接近1.58个百分点，表现非常优异。 采用碳化硅MOSFET模块，可提高开关频率，并减小整台焊机的质量、体积和噪声，提高整机效率，同时加快动态响应速度、输出电流及功率的控制将更加精准，使得焊接电源实施更高质量的焊接工艺控制变得更容易。
BSRD-2427所应用到的以下三款零件为基本半导体自主研发产品，用户可单独使用以下零件进行整体方案的设计。 
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