科普视频 | 评估栅氧寿命的测试方法——经时介电击穿（TDDB）测试

各位工程师朋友们，“SiC科普小课堂”之“栅极氧化层”话题第四讲重磅来袭！本期我们聚焦详细介绍一种常用的栅氧可靠性验证方法——经时介电击穿（TDDB）测试。基本半导体市场部总监魏炜老师将为您解读该测试方法及原理，并通过实验数据和寿命预测模型，评估碳化硅MOSFET栅氧可靠性与成本之间的平衡关系。欢迎大家点击观看！