产品推介丨62mm封装工业级碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2系列發表時間：2025-09-12 18:44
基本半导体推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块，产品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技术，在保持传统62mm封装尺寸优势的基础上，通过创新的模块设计显著降低了模块杂散电感，使碳化硅MOSFET的高频性能得到更充分发挥。 基于电机驱动应用，基本半导体针对62mm规格的碳化硅MOSFET与IGBT模块进行了性能仿真对比，同时可提供这一款模块产品配套的整套驱动板解决方案及零件。 产品拓扑  产品特点 基本半导体第三代碳化硅MOSFET芯片技术，性能更优 低导通电阻，高温下RDS(on)表现优异 低开关损耗，提高开关频率，功率密度提升 高性能Si3N4 AMB和高温焊料引入，提高产品可靠性 高可靠性和高功率密度 低杂散电感设计，14nH及以下 铜基板散热 应用领域 储能系统 焊机电源 感应加热设备 光伏逆变器 牵引辅助变流器 产品列表  产品性能实测数据对比(BMF540R12KA3与其他品牌产品) 1. 静态参数测试  2. 动态参数测试  BMF540R12KA3在ID=270A、ID=540A动态测试时，开通损耗、关断损耗、总损耗均优于其它品牌同等级产品。 2.1 开关特性参数对比 测试条件： VDS=600V, ID=270A, RG(on) =2Ω, RG(off) =2Ω,Lσ=21nH, VGS=-4V/18V  测试条件： VDS=600V, ID=540A, RG(on) =2Ω, RG(off) =2Ω, Lσ=21nH, VGS=-4V/18V  2.2 波形对比 测试条件： VDC=600V，VGS=-4V/+18V， RG(on) =RG(off) =2Ω，Lload=10uH， ID=540A，Tj=25℃ ID=540A——上桥  ID=540A——下桥  碳化硅MOSFET在电机驱动应用中与IGBT对比的仿真数据 1. 碳化硅MOSFET模块与IGBT模块对比 
使用PLECS软件建模。 红框为温度和损耗监控MOSFET和IGBT的位置，其余开关位置结果完全相同，不作展示。 
仿真80℃散热器温度下，两款62mm模块在此应用工况中的损耗、结温和整机效率。 应用为电机驱动。  3.1 仿真任务1——固定出力仿结温 仿真80℃散热器温度下，母线电压800V，输出相电流300Arms应用工况下的损耗、结温和整机效率。  输出有功功率=300A*330V*3*cosφ=237.6kW 效率（%）=输出有功功率/（输出有功功率+器件总损耗功率）=237.6kW/(237.6+1.11922*6)kW=97.25% 仿真结果波形 BMF540R12KA3(工况6kHz 300Arms)  F***(800A)(工况6kHz 300Arms)  3.2 仿真任务2——固定结温仿出力 80℃散热器温度与约束结温Tj≤175℃情况下，计算系统相电流输出大小。  3.3 仿真任务3——开关频率和输出电流的关系 仿真母线电压=800V，80℃散热器温度，在限制结温Tj≤175℃情况下，两款模块开关频率和输出电流的关系。  仿真结果波形 BMF540R12KA3(工况6kHz 556.5Arms)  F***(800A)(工况6kHz 446Arms)
BSRD-2503所应用到的以下三款零件为基本半导体自主研发产品，用户可单独使用以下零件进行整体方案的设计。
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