科普视频 | 硅MOSFET与碳化硅MOSFET的栅氧差异深度解析

發表時間:2025-03-26 19:00
图片

各位小伙伴,欢迎来到“SiC科普小课堂”之“栅极氧化层”话题第三讲!本期我们聚焦栅极氧化层的核心问题——为什么碳化硅MOSFET的栅极正负压不对称?硅MOSFET和碳化硅 MOSFET的栅氧设计为何存在本质区别?基本半导体市场部总监魏炜老师将从材料特性到物理机制进行深度解析,欢迎大家点击观看!



产品咨询微信添加.png

如您对我们的产品感兴趣,欢迎添加微信联系咨询哦!




生產製造
碳化矽功率元件
新聞動態
關於我們
廣東省深圳市南山區高新園區高新南七道國家工程實驗室大樓B座11
+86-755-22670439
+886 -981-107-999(台湾) info@basicsemi.com
chenhuiming@basicsemi.com(台湾)

關注微信公眾號

深圳基本半導體股份有限公司
品質管制