碳化硅材料、芯片研发和封装环节是影响碳化硅器件可靠性的重要因素

近期，基本半导体推出内绝缘型的TO-220封装碳化硅肖特基二极管产品。该产品在内部集成一个陶瓷片用于绝缘和导热，可简化生产步骤，提高生产质量和整机的长期可靠性，有效解决产业界痛点问题。内绝缘TO-220封装外形跟普通铁封TO-220产品基本...

1、器件散热选择为了确保碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）的安全运行，器件结温Tj必须低于Tj(max)，在进行热设计时需留有余量，以保证在额定负载或过载等状态下结温Tj在Tj(max)以下。当SiC JBS器件在高于Tj(max)的温度...

一、碳化硅肖特基二极管的可靠性1、dv/dt、di/dt破坏通常情况下，当给硅快恢复二极管和碳化硅肖特基二极管施加过大的dv/dt 时，器件都有可能因过压而损坏，因此在碳化硅肖特基二极管器件设计使用过程中需参考规格书中的参数，避免此类问题的...

前   言目前，在实现“绿色能源”的新技术革命中，众多高频开关电源已经开始实现高功率因数校正技术（特别是在通信电源中），其中采用有源功率因数校正的居多。连续导电模式Boost变换器是电源系统中应用较广的功率因数校正变换器。在硬开关连续导电模...

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界

硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于