世界の最先端 SiC エピタキシャル技術を用いた、SiCショットキーダイオード と SiC MOSFET を独自に研究開発しています。 現在、650V と 1200V の SiCショットキーダイオード、および1200V の SiC MOSFETの開発をしています。
SiCショットキーダイオードチップ
| Wafer Part No. | Die Part No. | VRRM （V） | IF (A) |
| BW3D04E065S2 | BD3D04E065S2 | 650 | 4 |
| BW3D06E065S2 | BD3D06E065S2 | 650 | 6
|
| BW3D08E065S2 | BD3D08E065S2 | 650 | 8 |
| BW3D10E065S2 | BD3D10E065S2 | 650 | 10 |
| BW3D20E065S2 | BD3D20E065S2 | 650 | 20 |
| BW3D30E065S2 | BD3D30E065S2 | 650 | 30 |
| BW3D03E120S2 | BD3D03E120S2 | 1200 | 3 |
| BW3D05E120S2 | BD3D05E120S2 | 1200 | 5 |
| BW3D10E120S2 | BD3D10E120S2 | 1200 | 10 |
| BW3D15E120S2 | BD3D15E120S2 | 1200 | 15 |
| BW3D20E120S2 | BD3D20E120S2 | 1200 | 20 |
| BW3D30E120S2 | BD3D30E120S2 | 1200 | 30 |
| BW3D40E120S2 | BD3D40E120S2 | 1200 | 40 |
| BW3D50E120S2 | BD3D50E120S2 | 1200 | 50 |
SiC MOSFETチップ
| Wafer Part No. | Die Part No. |
VDS （V） |
RDS(on)@Tj=25°C (mΩ) |
| BW2M160A120S | BD2M160A120S | 1200 | 160 |
| BW2M080A120S | BD2M080A120S | 1200 | 80 |
| BW2M065A120S | BD2M065A120S | 1200 | 65 |
| BW2M040A120S | BD2M040A120S | 1200 | 40 |
| BW2M030A120S | BD2M030A120S | 1200 | 30 |
| BW2M600A170S | BD2M600A170S | 1700 | 600 |
