ベアチップ
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世界の最先端 SiC エピタキシャル技術を用いた、SiCショットキーダイオード と SiC MOSFET を独自に研究開発しています。 現在、650V と 1200V の SiCショットキーダイオード、および1200V の SiC MOSFETの開発をしています。

initpintu_副本.jpg

SiCショットキーダイオード

ProductVRRM

（V）

IF

(A)

BD2D04A065S16504
BD2D06A065S16506
BD2D08A065S16508
BD2D10A065S165010
BD2D15A065S165015
BD2D20A065S1650
20
BD2D30A065S165030
BD2D40A065S165040
BD2D02A120S112002
BD2D05A120S112005
BD2D08A120S112008
BD2D10A120S1120010
BD2D15A120S11200
15
BD2D20A120S1120020
BD2D30A120S1120030
BD2D40A120S1120040


SiC MOSFET(1200V)

Product

VDS

（V）

RDS(on)

(mΩ)

BD2M040A120S1

1200

40

BD2M065A120S1

1200

65
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