ハイブリッドSiCディスクリート
产品详情

ハイブリッドSiCディスクリート製品はField-Stop IGBTチップとSiCショットキーバリアダイオードチップを組み合わせ、ハードスイッチングトポロジー向けに高いコストパフォーマンスのソリューションを実現しています。このデバイスは、一部のアプリケーションにおいて、従来のIGBT（シリコンIGBTとシリコン高速回復ダイオードを内蔵）製品から置き換えができ、IGBTのスイッチング損失を大幅に削減できます。車載用電源（OBC）、通信電源、高周波DC-DC電力変換器、蓄電システム等の分野に適用されています。




混合碳化硅分立器件灰底.png


パラメータリスト


Part   Number

BV

(V)

Data

Sheet

IC(A)

@100℃

VCE (sat)

(V)

VF

(V)

IF(A)

@100℃

Eon

(mJ)

Eoff

(mJ)

Package Name

BGH75N65HS1650
333.png751.64
1.40
74
2.12
1.31
TO-247-3

BGH50N65HF1650333.png501.551.3934
0.820.59TO-247-3

BGH50N65HS1650333.png501.551.3051
0.820.59TO-247-3

BGH50N65ZF1650333.png
501.551.39340.410.72TO-247-4

BGH75N65HF1
650333.png
751.641.30512.121.31TO-247-3

BGH75N65ZF1650333.png
751.641.30510.901.27TO-247-4

BGH40N120HS1
1200
333.png401.9
1.30
45
1.62
1.2
TO-247-3

BGH75N120HF1

1200
333.png75
2.2
1.30
45
4.49
2.58
TO-247-3
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