62mm産業用SiC MOSFETハーフブリッジモジュール
产品详情

基本半導体は、62mmパッケージの1200V産業用SiC MOSFETハーフブリッジモジュールを発表した。本製品は、次世代SiC MOSFET技術を採用し、従来の62mmパッケージサイズの利点を維持しながら、革新的なモジュール設計により寄生インダクタンスを大幅に低減し、SiC MOSFETの高周波性能をより一層引き出している。

62mm黑色.png

製品の特長

- 次世代MOSFET技術により優れた性能

- 低オン抵抗、低スイッチング損失

- 高速スイッチングモジュール

- Si3N4絶縁放熱回路基板による優れたパワーサイクル性能

- 高い信頼性とパワー密度

- 低インダクタンス設計

- 銅ベースプレートによる放熱設計

応用分野：エネルギー貯蔵システム（ESS）、溶接機電源、誘導加熱装置、太陽光発電インバーター

回路トポロジー

62mm电路拓扑.png

パラメータ一覧表

Part   No.

Data

Sheet

VDSS

(V)

RDS(on)

(mΩ) @ 25℃

IDnom

VGS(op)

(V)

VGS(th)

(V)

VSD

(V)

QG

(nC)

Package

Name

BMF180R12KA3\
12007
180
+18/-42.7
5.0544062mm
BMF240R12KHB3333.png
12005.3240
+18/-52.7
5.5167262mm
BMF360R12KHA3333.png
12003.3360
+18/-52.7
5.1888062mm
BMF540R12KHA3333.png
12002.2540
+18/-52.7
5.11132062mm
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