ワイドバンドギャップ半導体材料である SiC デバイスは、従来の Si デバイスに比べて優れた性能を持っています。SiC の広いバンドギャップ(3.26eV)、高臨界電界(3×106V/cm)、 高熱伝導率(4.9W/cm·K)という特性により、パワーデバイスがより高速で高効率な動作ができ、それによって適用装置の体積、重量、コスト等の低減が可能です。当社の SiCショットキーダイオードは業界標準パッケージで提供され、優れた性能と極めて高い作動効率を持っています。

製品の特徴
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ゼロ逆回復電流 | 高サージ電流耐量 | 低漏れ電流 | 高アバランシェ耐量 |
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