SiCショットキーダイオード

产品详情

ワイドバンドギャップ半導体である SiC デバイスは、従来の Si デバイスに比べて優れた性能を持っています。SiC の広いバンドギャップ（3.26eV）、高臨界電界（3×10⁶V/cm）、高熱伝導率（4.9W/cm·K）という材料特性により、パワーデバイスがより高速で高効率な動作ができ、それによって適用装置の体積、重量、コスト等の低減が可能となります。当社の SiC ショットキーダイオードは業界標準パッケージで提供され、優れた性能と極めて高い効率を持っています。

碳化硅二极管最新

製品の特徴


ゼロ逆回復電流	高サージ電流耐量	低リーク電流	高アバランシェ耐量

製品一覧

Product	DataSheet	V_RRM（V）	I_F(A)	I_FSM(A)	V_F(V)	P_tot(W)	Q_C(nC)	Package Name
B3D20065HC	‍	650	20	90	1.36	150	26	TO-247-3
B3D60120H2	‍	1200	60	540	1.42	938	342	TO-247-2
B3D60120HC	‍	1200	60	270	1.39	469	172	TO-247-3
B3D30120H	‍	1200	30	270	1.39	469	172	TO-247-2
B4D60120H2	‍	1200	60	350	1.56	652	242	TO-247-2
B4D40120H	‍	1200	40	280	1.49	455	182	TO-247-2
B3D10065E	‍	650	10	70	1.36	97	26	TO-252-3
B4D30120H	‍	1200	30	210	1.50	326	122	TO-247-2
B3D10065KF	‍	650	10	80	1.36	68	26	TO-220F-2
B3D10065KS	‍	650	10	80	1.36	93	26	TO-220-isolated
B3D10065F	‍	650	10	80	1.36	123	26	TO-263-3
B3D50120H2	‍	1200	50	300	1.46	652	242	TO-247-2
B3D25120H	‍	1200	25	150	1.42	375	122	TO-247-2
B2DM060065N1	‍	650	60	386	1.42	300	169	SOT-227
B3D05120E		1200	5	45	1.45	101	24	TO-252-2
B3D20120H		1200	20	160	1.40	259	106	TO-247-2
B3D40120HC		1200	40	160	1.40	258	106	TO-247-3
B2D60120H1		1200	60	340	1.46	833	347	TO-247-2
B2DM100120N1		1200	100*	540*	1.53	652*	465	SOT-227
B1D02065E		650	2	16	1.4	39	6.8	TO-252-2
B1D02065K		650	2	16	1.4	43	6.8	TO-220-2
B2D04065E1		650	4	31	1.3	90	14	TO-252-2
B2D04065D1		650	4	33	1.3	45	14	DFN 5*6
B2D04065KF1		650	4	41	1.33	59	13	TO-220F-2
B2D04065V		650	4	32	1.35	25	12	SMBF
B2D04065K1		650	4	34	1.33	91	14	TO-220-2
B2D06065E1		650	6	50	1.32	115	17	TO-252-3
B1D06065F		650	6	45	1.43	89	17	TO-263-2
B2D06065K1		650	6	44	1.31	133	18	TO-220-2
B2D06065KF1		650	6	59	1.31	52	18	TO-220F-2
B1D06065KS	‍	650	6	45	1.44	70	17	TO-220-isolated
B2D06065Q		650	6	45	1.33	98	17	DFN8*8
B1D08065E		650	8	60	1.43	109	24	TO-252-2
B1D08065F		650	8	60	1.43	112	24	TO-263-2
B2D08065K1		650	8	64	1.32	148	24	TO-220-2
B1D08065KF		650	8	64	1.4	48	24	TO-220F-2
B1D08065KS		650	8	64	1.46	74	24	TO-220-isolated
B2D08065KS		650	8	64	1.28	86	24	TO-220-isolated
B2D10065E1		650	10	73	1.3	125	31	TO-252-3
B2D10065F1		650	10	70	1.31	145	30	TO-263-3
B1D10065H		650	10	75	1.43	158	29	TO-247-2
B2D10065K1		650	10	85	1.31	144	29	TO-220-2
B2D10065KF1		650	10	72	1.32	76	31	TO-220F-2
B1D10065KS		650	10	75	1.43	89	29	TO-220-isolated
B2D10065Q		650	10	70	1.33	126	29	DFN8*8
B2D10065KS		650	10	85	1.36	109	29	TO-220-isolated
B1D12065K		650	12	90	1.42	170	38	TO-220-2
B1D15065K		650	15	112	1.42	194	46	TO-220-2
B2D15065K		650	15	120	1.29	211	46	TO-220-2
B2D16065HC1		650	8/16*	64*	1.32	164*	23	TO-247-3
B2D20065H1		650	20	146	1.34	300	60	TO-247-2
B2D20065HC1		650	10/20*	70*	1.34	172*	31	TO-247-3
B2D20065F1		650	20	140	1.32	230	59	TO-263-3
B2D20065K1		650	20	125	1.34	288	58	TO-220-2
B2D20065TF		650	20	70	1.3	77	60	TO-3PF
B2D30065HC1		650	30	103*	1.32	217*	45	TO-247-3
B1D30065TF		650	30	110*	1.37	72*	50	TO-3PF
B2D30065H1		650	30	200	1.38	500	83	TO-247-2
B2D40065H1		650	40	240	1.4	555	114	TO-247-2
B2D40065HC1		650	20/40*	146*	1.34	268*	59	TO-247-3
B2D02120E1		1200	2	22	1.35	77	13	TO-252-2
B2D02120K1		1200	2	20	1.35	80	13	TO-220-2
B2D05120E1		1200	5	57	1.3	122	31	TO-252-2
B2D05120K1		1200	5	55	1.3	147	32	TO-220-2
B2D10120E1		1200	10	95	1.38	151	49	TO-252-2
B2D10120H1		1200	10	90	1.36	143	51	TO-247-2
B2D10120HC1		1200	5/10*	55*	1.3	147*	31	TO-247-3
B2D10120K1		1200	10	90	1.37	185	51	TO-220-2
B2D15120H1		1200	15	135	1.34	283	84	TO-247-2
B2D16120HC1		1200	8/16*	80*	1.34	170*	48	TO-247-3
B2D20120H1		1200	20	190	1.35	366	120	TO-247-2
B2D20120F1		1200	20	180	1.3	283	122	TO-263-2
B2D20120HC1		1200	10/20*	90*	1.4	140*	55	TO-247-3
B2D30120H1		1200	30	225	1.36	428	172	TO-247-2
B2D30120HC1		1200	15/30*	135*	1.35	220*	89	TO-247-3
B2D40120H1		1200	40	280	1.38	681	225	TO-247-2
B2D40120HC1		1200	20/40*	180*	1.36	259*	120	TO-247-3

セレクションガイド：

BASiC_ SiC Power Devices_Selection Guide_JPN_2024Q2

中国広東省深セン市南山区高新園区高新南7道デジタル技術園国家工程実験室ビルB座11階

+86-755-22670439 +86-755-86706526 info@basicsemi.com

inquiry@basicsemi.com (Industrial)

autobu@basicsemi.com（Automotive）

深セン基本半導体有限公司

愛知県名古屋市西区牛島町6番1号名古屋ルーセントタワー40階

052－569-1435

infojp@basicsemi.com

基本半導体株式会社