SiCパワーデバイス

プロセスマニュファクチャリングサービス

各電流・電圧クラスの SiCショットキーダイオード、プレーナ SiC MOSFET は、各項目の性能指標が国際レベルに達しています。

お客様へ650V-10kV SiCダイオードウェハのカスタマイズプロセスサービスを提供することができます。また、様々な仕様パラメータのエピタキシャルカスタマイズサービス、最大250ミクロンまで提供することができます。
Applications
ニュースセンター

On February 3, BASiC Semiconductor Co., Ltd. was officially registered and established in Nagoya, Japan, constituting an...

On January 21, in an interview with a CCTV News reporter, Dr. Wang Zhihan, Chairman of BASiC Semiconductor, shared his e...

On January 18, the China Association for Science and Technology held the 2020 " Innovation China" annual work conference...

中国広東省深セン市南山区高新園区高新南7道デジタル技術園国家工程実験室ビルB座1101-102
+86-755-22670439 info@basicsemi.com
深セン基本半導体有限公司