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基本半導体のSiC パワーデバイス実験室は2000平方メートルのエリアを有しており、研究開発設計検証、新規部材の要素技術開発、製品の特性評価、長期依頼性認証を実施するための総合実験室になります。現在、パワーモジュール研究開発実験室、電気性能実験室、応力分析実験室、電磁解析実験室、アプリケーション実験室と依頼性実験室を併設しています。  |
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