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 深セン基本半導体有限公司（BASiC Semiconductor Ltd.）は中国の次世代パワー半導体業界の革新的な企業として、SiCパワーデバイスの研究開発と産業化に注力しています。本社は中国の深センにあり、北京、上海、南京、無錫、香港及び日本の名古屋に研究開発センターと製造拠点を有しています。当社は、国際的な研究開発チームを持っており、チームのコアメンバーは清華大学、中国科学院、英国ケンブリッジ大学、ドイツアーヘン工科大学、スイス連邦工科大学等、国内外の有名大学と研究機関からの20名余りの博士で構成されています。 当社は先進的なSiCコア技術を持ち、SiCパワーデバイスの材料製造からチップデザインと製造技術、パッケージングと試験、駆動アプリケーションまで様々な分野の研究開発に取り組んでいます。また当社は200件以上の特許を取得しており、SiC ショットキーバリアダイオードチップ、SiC MOSFETチップ及び車載SiCパワーモジュール、ゲートドライバIC等の製品を開発・生産しており、製品性能は国際水準に達しています。新エネルギー、電動自動車、スマートグリッド、電鉄、産業用などの分野に幅広く採用されています。 当社は、国家工信部、科学技術部、広東省、深セン市政府と連携し、数十項の研究開発及び産業化プロジェクトを担当しております。深セン清華大学研究院と共同で「第三世代半導体材料とデバイス研究開発センター」を設立しており、「国家5 G中高周波デバイスイノベーションセンター」の株主であり、中国科学技術協会の産学研融合技術イノベーションサービス体代半導体協同イノベーションセンター、広東省第三世代半導体SiCパワーデバイスエンジニアリング技術研究センターとして認定されました。また当社は中国特許優秀賞、深セン市特許賞、2020「科創中国」新鋭企業、「中国芯」優秀技術イノベーション製品賞、中国イノベーション創業大会プロフェッショナルコンペティション第一位等多くの賞を受賞しました。
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