プロセス技術

プロセス技術

副标题

基本半導体のウエハプロセスは650V〜10kVのSiCプロセスプラットフォームをカバーし、SiCトレンチ深さは最大20μmに達します。
中国広東省深セン市南山区高新園区高新南7道デジタル技術園国家工程実験室ビルB座11階
+86-755-22670439      +86-755-86706526 info@basicsemi.com
inquiry@basicsemi.com (Industrial)
autobu@basicsemi.com（Automotive）
深セン基本半導体有限公司
愛知県名古屋市西区牛島町6番1号名古屋ルーセントタワー40階

052－569-1435

infojp@basicsemi.com