工业级全碳化硅功率模块

产品详情

PcoreTM2 E2B 全碳化硅半桥MOSFET模块

基本半导体推出兼容EasyPACK 2B封装的工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore2 E2B,该产品基于高性能 6英寸晶圆平台设计,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。

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产品优势

- 高晶圆可靠性

新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的RDS(on)退化。

- 优异抗噪特性

宽栅-源电压范围Vgss: -10V~+25V),及更高阈值电压范围(Vth: 3V~5V),便于栅极驱动设计。

-高热性能及高封装可靠性

高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入,改善长期高温度冲击循环的CTE失配。


应用领域:燃料电池DCDC、数据中心UPS、大功率快速充电桩等。


参数列表

Part No.

Vdss (V)

Rds(on) (mΩ) @ 25℃

Idnom (A)

Vgs(op) (V)


NEW.png

BMF240R12E2G3

1200

5‍.0

2‍40

+18/-5
Vgs(th) (V)

Vsd (V)

Qg (nC)

Pin-Type
4.0
1.35
500
Soldering

技术文章
生产制造
碳化硅功率器件
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