碳化硅MOSFET
产品详情

碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列产品基于6英寸晶圆平台开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。

应用领域：新能源汽车电机控制器、车载电源、光伏逆变器、光储一体机、充电桩、UPS、PFC电源等领域。


二代MOS封装图.png


产品优势


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更低比导通电阻更低开关损耗更高可靠性更高工作结温


碳化硅MOSFET

Voltage

RDS(on)

(mΩ)

TO-247-3

TO-247-4

TO-247PLUS-4

TO-263-7

SOT-227



650V40B3M040065HB3M040065Z‍


样品申请PLECS仿真器件模型

1200V

160

B2M160120H‍

B‍2M160120Z‍


B2M160120R‍


样品申请‍

PLECS仿真器件模型‍‍‍

80

B2M080120H‍

AB2M080120H‍‍‍

B2M080120Z‍‍

‍ AB2M080120Z‍


B2M080120R‍‍

‍AB2M080120R‍


样品申请

PLECS仿真器件模型‍

65

B2M065120H

B2M065120Z


B2M065120R


样品申请

PLECS仿真器件模型‍‍

40

B2M040120H

B2M040120Z‍

B‍3M040120Z

‍ AB2M040120Z‍


B2M040120R‍

‍ AB2M040120R‍


样品申请‍PLECS仿真器件模型
30B2M030120H

B2M030120Z‍


B2M030120‍RB2M030120‍N样品申请‍‍PLECS仿真器件模型
11

B2M011120HK



B2M012120N

样品申请

PLECS仿真器件模型‍‍

1700V

600

B2M600170H

B2M600170Z


B2M600170R‍


样品申请‍‍‍

PLECS仿真器件模型

2000V

24

Coming soon

样品申请‍‍PLECS仿真器件模型

      : Automotive

      * : Under development, to be released.
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