碳化硅MOSFET
产品详情

碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列产品基于6英寸晶圆平台开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。

应用领域：新能源汽车电机控制器、车载电源、光伏逆变器、光储一体机、充电桩、UPS、PFC电源等领域。


二代MOS封装图.png


产品优势


未标题-1-01.png未标题-1-02.png未标题-1-03.png未标题-1-04.png
更低比导通电阻更低开关损耗更高可靠性更高工作结温


碳化硅MOSFET

Voltage

RDS(on)

(mΩ)

TO-247-3

TO-247-4

TOLL

TO-263-7

SOT-227



650V40B3M040065HB3M040065Z‍B3M040065L

样品申请‍

PLECS仿真器件模型


1200V

160

B2M160120H‍

B‍2M160120Z‍


B2M160120R‍


样品申请‍

PLECS仿真器件模型‍

80

B2M080120H‍

AB2M080120H‍‍‍

B2M080120Z‍‍

‍ AB2M080120Z‍


B2M080120R‍‍

‍ AB2M080120R‍


样品申请PLECS仿真器件模型‍

65

B2M065120H

B2M065120Z


B2M065120R


样品申请PLECS仿真器件模型‍

40

B2M040120H‍

B‍3M040120H*

B2M040120Z‍

B‍3M040120Z

‍ AB2M040120Z‍


B2M040120R‍

B‍3M040120R*

‍ AB2M040120R‍


样品申请‍PLECS仿真器件模型‍
30B2M030120H

B2M030120Z‍


B2M030120‍RB2M030120‍N样品申请‍‍PLECS仿真器件模型‍
13.5
B3M013C120H*B3M013C120Z


样品申请PLECS仿真器件模型‍
11



B2M012120N样品申请PLECS仿真器件模型‍

1700V

600

B2M600170H

B2M600170Z


B2M600170R‍


样品申请‍‍‍

PLECS仿真器件模型‍

2000V

24

Coming soon

样品申请‍‍PLECS仿真器件模型‍

      : Automotive

      * : Under development, to be released.
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