碳化硅MOSFET

产品详情

碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可提高功率回路开关频率,提升系统效率及功率密度,降低系统综合成本。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台开发,比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。

应用领域:新能源汽车电机控制器、车载电源、光伏逆变器、光储一体机、充电桩、UPS、PFC电源等领域。


二代MOS封装图.png


产品优势


未标题-1-01.png未标题-1-02.png未标题-1-03.png未标题-1-04.png
更低比导通电阻更低器件开关损耗更高可靠性更高工作结温


碳化硅MOSFET

Generation

Voltage

RDS(on)

TO-247-3

TO-247-4

TO-247-4-PLUS

TO-263-7

SOT-227



NEW.png

Gen 2

1200V

160mΩ

B2M160120H

B2M160120Z


B2M160120R


样品申请

80mΩ

B2M080120H

B2M080120Z‍


B2M080120R‍


样品申请

65mΩ

B2M065120H

B2M065120Z


B2M065120R


样品申请

40mΩ

B2M040120H

B2M040120Z


B2M040120R


样品申请

35mΩ



B2M035120YP



样品申请

20mΩ

*B2M020120H

*B2M020120Z

*B2M020120YP

*B2M020120R

*B2M020120N

样品申请
Gen 1
1200V
160mΩB1M160120HC



样品申请

80mΩ

B1M080120HCB1M080120HK


样品申请

32mΩ

B1M032120HC

B1M032120HK




样品申请

   Note1:带 * 标记产品规划中         

   Note2:第一代碳化硅MOSFET:不建议在新设计上使用             

   Note3:点击蓝色型号可下载规格书

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碳化硅功率器件
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