碳化硅MOSFET

产品详情

碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可提高功率回路开关频率,提升系统效率及功率密度,降低系统综合成本。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列产品基于6英寸晶圆平台开发,比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。

应用领域:新能源汽车电机控制器、车载电源、光伏逆变器、光储一体机、充电桩、UPS、PFC电源等领域。


二代MOS封装图.png


产品优势


未标题-1-01.png未标题-1-02.png未标题-1-03.png未标题-1-04.png
更低比导通电阻更低开关损耗更高可靠性更高工作结温


碳化硅MOSFET

Voltage

RDS(on)

(mΩ)

TO-247-3

TO-247-4

TO-247PLUS-4

TO-263-7

SOT-227


1200V

160

B2M160120H

B‍2M160120Z


B2M160120R


样品申请

80

B2M080120H

 AB2M080120H

B2M080120Z‍

 AB2M080120Z


B2M080120R‍

 AB2M080120R


样品申请

65

B2M065120H

B2M065120Z


B2M065120R


样品申请

40

B2M040120H

B2M040120Z

 AB2M040120Z


B2M040120R

 AB2M040120R


样品申请

32



B2M032120Y



样品申请
30*B2M030120H

*B2M030120Z


*B2M030120R
样品申请

20



B2M020120Y



样品申请

18

*B2M018120H

*B2M018120Z



*B2M018120N

样品申请
11

B2M011120HK



B2M012120N

样品申请

9



*B2M009120Y


*B2M009120N‍

样品申请
1700V

1000

*B2M1000170H

*B2M1000170Z


*B2M1000170R


样品申请

2000V

24

Coming soon

样品申请

      : Automotive

      * : Under development, to be released.


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碳化硅功率器件
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