混合碳化硅分立器件
产品详情

基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT（硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。



混合碳化硅分立器件灰底.png


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Part   Number

Data

Sheet

BV

(V)

IC(A)

@100℃

VCE (sat)

(V)

VF

(V)

IF(A)

@100℃

Eon

(mJ)

Eoff

(mJ)

Package Name


微信图片_20230512174424.pngBGH75N65HS1333.png650
75
1.64
1.4074
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TO-247-3样品申请

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0.820.59TO-247-3样品申请

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BGH75N65HF1
333.png
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1.2
TO-247-3样品申请

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333.png‍1200
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2.58
TO-247-3样品申请
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