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产品详情

基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT（硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。

混合碳化硅分立器件灰底.png

产品列表

	Part Number	BV (V)	Data Sheet	I_C(A) @100℃	V_CE(sat) (V)	V_F (V)	I_F(A) @100℃	E_on (mJ)	E_off (mJ)	Package Name
	BGH40N120HS1	1200	\	40	1.9	1.49	45	1.62	1.2	TO-247-3	样品申请
	BGH75N120HF1	1200	‍	75	2.2	1.47	45	5.39	4.37	TO-247-3	样品申请
	BGH50N65HF1	650		50	1.55	1.51	34	0.95	0.67	TO-247-3	样品申请
	BGH50N65HS1	650		50	1.55	1.51	47	0.95	0.67	TO-247-3	样品申请
	BGH50N65ZF1	650		50	1.55	1.51	34	0.4	0.62	TO-247-4	样品申请
	BGH75N65HF1	650		75	1.6	1.51	47	2.04	1.19	TO-247-3	样品申请
	BGH75N65ZF1	650		75	1.6	1.5	47	1.21	1.3	TO-247-4	样品申请
	*BGH40N120HF1	1200	‍\‍	40	1.9	1.49	32	1.6	1.21	TO-247-3	样品申请
	*BGH75N120WS1	1200	\	75	2.2	1.47	62.5	5.5	4.4	TO-247-3-PLUS	样品申请‍

Note: The product with * mark is coming soon

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