混合碳化硅分立器件

产品详情

基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT(硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封),使IGBT的开关损耗大幅降低,适用于储能(ESS)、车载充电器(OBC)、不间断电源(UPS)、光伏组串逆变器等领域。



混合碳化硅分立器件灰底.png


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Part   Number

BV

(V)

Data

Sheet

IC(A)

@100℃

VCE (sat)

(V)

VF

(V)

IF(A)

@100℃

Eon

(mJ)

Eoff

(mJ)

Package Name


微信图片_20230512174424.pngBGH40N120HS1
1200
\401.9
1.49
45
1.62
1.2
TO-247-3样品申请
微信图片_20230512174424.png

BGH75N120HF1

1200
333.png75
2.2
1.47
45
5.39
4.37
TO-247-3样品申请

BGH50N65HF1650333.png501.551.5134
0.950.67TO-247-3样品申请

BGH50N65HS1650333.png501.551.5147
0.950.67TO-247-3样品申请

BGH50N65ZF1650333.png
501.551.51340.40.62TO-247-4样品申请

BGH75N65HF1
650333.png
751.61.51472.041.19TO-247-3样品申请

BGH75N65ZF1650333.png
751.61.5471.211.3TO-247-4样品申请

*BGH40N120HF1

1200
\40
1.9
1.4932
1.6
1.21
TO-247-3样品申请

*BGH75N120WS1

1200\752.21.4762.55.54.4TO-247-3-PLUS样品申请

        Note: The product with * mark is coming soon




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