E1B & E2B工业级碳化硅MOSFET模块

产品详情

基本半导体推出EasyPACK封装的工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore2 E2BPcore2 E1BPcore4 E1B,该系列产品基于高性能 6英寸晶圆平台设计,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。

工业模块产品图.jpg

产品优势

- 高晶圆可靠性

新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的RDS(on)退化。

- 优异抗噪特性

宽栅-源电压范围VGS: -10V~+25V),及更高阈值电压(VGS(th).typ: 4V),便于栅极驱动设计。

-高热性能及高封装可靠性

高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入,改善温度循环的CTE失配,陶瓷板的可靠性大幅提升。


应用领域:燃料电池DCDC、数据中心UPS、大功率快速充电桩等。


产品列表

Part   No.

Data

Sheet

VDSS

(V)

RDS(on)

(mΩ) @ 25℃

IDnom

(A)

VGS(op)

(V)

VGS(th)

(V)

VSD

(V)

QG

(nC)

Pin-Type

Package

Name



BMH027MR07E1G3333.png
6502740+18/-44.0
1.7565Press-FitPcore™4 E1B样品申请PLECS仿真器件模型
BMF011MR12E1G3333.png
120011120+18/-44.0
2.10246Press-FitPcore™2 E1B样品申请PLECS仿真器件模型
BMF240R12E2G3‍333.png
1200
5.5
240
+18/-44.0
1.35492
Press-FitPcore™2 E2B样品申请
PLECS仿真器件模型
技术文章
生产制造
碳化硅功率器件
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