碳化硅肖特基二极管

产品详情

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高,运行速度更快,并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管,提供行业标准封装,具有优越的性能和极高的工作效率。


碳化硅二极管最新


产品优势


未标题-1-01.png未标题-1-02.png未标题-1-03.png未标题-1-04.png
零反向恢复抗浪涌电流能力强高温反向漏电低雪崩耐量高

产品列表

             B4D系列



Product

DataSheet

VRRM
(V)
IF
(A)
IFSM
(A)
VF
(V)
Ptot
(W)
QC
(nC)

Package Name




B4D30120H

333.png

1200

30

210

1.50

326

122

TO-247-2

样品申请



B4D40120H

333.png

1200

40

280

1.49

455

182

TO-247-2

样品申请



B4D60120H2

333.png

1200

60

350

1.56

652

242

TO-247-2

样品申请

                   

             B3D系列


Product

DataSheet

VRRM
(V)
IF
(A)
IFSM
(A)
VF
(V)
Ptot
(W)
QC
(nC)

Package Name



微信图片_20230512174424.png

B3D06065E

333.png

650

6

45

1.39

71

15

TO-252-3

样品申请

PLECS仿真

器件模型

微信图片_20230512174424.png

B3D06065KS

333.png

650

6

51

1.39

67

15

TO-220-isolated

样品申请

PLECS仿真

器件模型

微信图片_20230512174424.png

B3D06065K

333.png

650

6

51

1.39

85

15

TO-220-2

样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D10065KF

333.png

650

10

80

1.36

68

26

TO-220F-2

样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D10065E

333.png

650

10

70

1.36

97

26

TO-252-3

样品申请‍‍

PLECS仿真

器件模型


B3D10065KS333.png65010801.369326TO-220-isolated

样品申请‍‍

PLECS仿真

器件模型


B3D10065F333.png65010801.36123
26TO-263-3样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D10065K

333.png

650

10

80

1.36

111

26

TO-220-2

样品申请

PLECS仿真

器件模型

微信图片_20230512174424.png

B3D20065H

333.png

650

20

150

1.40

268

55

TO-247-2

‍‍样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D20065HC

333.png

650

20

90

1.36

150

26

TO-247-3

‍‍样品申请

PLECS仿真

器件模型

微信图片_20230512174424.png

B3D40065HC

333.png

650

20*/40**

150

1.40

250

110

TO-247-3

‍‍样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D05120E333.png12005451.4510124TO-252-2样品申请

PLECS仿真

器件模型

微信图片_20230512174424.png

B3D10120F

333.png

1200

10

90

1.40

169

50

TO-263-2

样品申请

PLECS仿真

器件模型

微信图片_20230512174424.png

B3D15120H

333.png

1200

15

135

1.39

273

79

TO-247-2

样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D20120H333.png1200201601.40259106TO-247-2样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D20120HC

333.png

1200

10*/20**

90

1.40

167

50

TO-247-3

样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D25120H333.png120025
1501.42
375
122
TO-247-2样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D30120H

333.png

1200

30

270

1.39

469

172

TO-247-2

样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D30120HC

333.png

1200

15*/30**

120

1.39

214

79

TO-247-3

样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D40120HC333.png1200401601.40258106TO-247-3样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D50120H2333.png120050300
1.46652242TO-247-2样品申请

PLECS仿真

器件模型


B3D60120H2333.png1200605401.42938342TO-247-2样品申请

PLECS仿真

器件模型


             B2D系列



Product

DataSheet

VRRM
(V)
IF
(A)
IFSM
(A)
VF
(V)
Ptot
(W)
QC
(nC)

Package Name




B2D04065E1

333.png

650

4

31

1.3

90

14

TO-252-2

样品申请



B2D04065D1

333.png

650

4

33

1.3

45

14

DFN 5*6

样品申请



B2D04065KF1

333.png

650

4

41

1.33

59

13

TO-220F-2

样品申请



B2D04065K1333.png

650

4

34

1.33

91

14

TO-220-2

样品申请



B2D06065E1

333.png

650

6

50

1.32

115

17

TO-252-3

样品申请



B2D06065K1

333.png

650

6

44

1.31

133

18

TO-220-2

样品申请



B2D06065KF1

333.png

650

6

59

1.31

52

18

TO-220F-2

样品申请



B2D08065K1

333.png

650

8

64

1.32

148

24

TO-220-2

样品申请



B2D10065E1

333.png

650

10

73

1.3

125

31

TO-252-3

样品申请



B2D10065F1

333.png

650

10

70

1.31

145

30

TO-263-3

样品申请



B2D10065K1333.png

650

10

85

1.31

144

29

TO-220-2

样品申请



B2D10065KF1

333.png

650

10

72

1.32

76

31

TO-220F-2

样品申请



B2D16065HC1

333.png

650

8*/16**

64*

1.32

164*

23

TO-247-3

样品申请



B2D20065H1

333.png

650

20

146

1.34

300

60

TO-247-2

样品申请



B2D20065HC1

333.png

650

10*/20**

70*

1.34

172*

31

TO-247-3

样品申请



B2D20065F1

333.png

650

20

140

1.32

230

59

TO-263-3

样品申请



B2D20065K1

333.png

650

20

125

1.34

288

58

TO-220-2

样品申请



B2D30065HC1

333.png

650

30

103*

1.32

217*

45

TO-247-3

样品申请



B2D30065H1333.png

650

30

200

1.38

500

83

TO-247-2

样品申请



B2D40065H1

333.png

650

40

240

1.4

555

114

TO-247-2

样品申请



B2D40065HC1

333.png

650

20*/40**

146*

1.34

268*

59

TO-247-3

样品申请



B2D02120E1

333.png

1200

2

22

1.35

77

13

TO-252-2

样品申请



B2D02120K1

333.png

1200

2

20

1.35

80

13

TO-220-2

样品申请



B2D05120E1

333.png

1200

5

57

1.3

122

31

TO-252-2

样品申请



B2D05120K1

333.png

1200

5

55

1.3

147

32

TO-220-2

样品申请



B2D10120E1

333.png

1200

10

95

1.38

151

49

TO-252-2

样品申请



B2D10120H1

333.png

1200

10

90

1.36

143

51

TO-247-2

样品申请



B2D10120HC1

333.png

1200

5*/10**

55*

1.3

147*

31

TO-247-3

样品申请



B2D10120K1

333.png

1200

10

90

1.37

185

51

TO-220-2

样品申请



B2D15120H1

333.png

1200

15

135

1.34

283

84

TO-247-2

样品申请



B2D16120HC1

333.png

1200

8*/16**

80*

1.34

170*

48

TO-247-3

样品申请



B2D20120H1

333.png

1200

20

190

1.35

366

120

TO-247-2

样品申请



B2D20120F1

333.png

1200

20

180

1.3

283

122

TO-263-2

样品申请



B2D20120HC1

333.png

1200

10*/20**

90*

1.4

140*

55

TO-247-3

样品申请



B2D30120H1

333.png

1200

30

225

1.36

428

172

TO-247-2

样品申请



B2D30120HC1

333.png

1200

15*/30**

135*

1.35

220*

89

TO-247-3

样品申请



B2D40120H1

333.png

1200

40

280

1.38

681

225

TO-247-2

样品申请



B2D40120HC1

333.png

1200

20*/40**

180*

1.36

259*

120

TO-247-3

样品申请



B2DM100120N1

333.png

1200

100*

540*

1.53

652*

465

SOT-227

样品申请


技术文章
生产制造
碳化硅功率器件
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关于我们
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道国家工程实验室大楼B座11层
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                0755-86713170(工业客户)
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