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展会前沿 | 基本半导体携多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC国际光伏展
6月13-15日，SNEC第十七届(2024)国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会在国家会展中心(上海)隆重举办。本届展会汇聚了超过3500家全球光伏产业链企业，共同展示最前沿的科技成果和技术产品，吸引逾50万专业观众参与。
基本半导体携2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E1B、工业级碳化硅半桥顶部散热MOSFET模块等系列新品，以及旗下全系列碳化硅二极管、门极驱动芯片、功率器件驱动器等产品亮相展会，全方位展示基本半导体在功率器件领域的创新技术实力。
现 场 盛 况
共鉴新品 以创新技术驱动能源未来
近年来，随着全球“双碳”战略的实施，作为新能源产业的重要方向，光伏行业持续快速发展，市场对功率器件的规格和散热要求也越来越高。碳化硅功率器件以其高效、耐高温、耐高压等特性，在新能源领域发挥着不可替代的作用。凭借在碳化硅领域的深厚积累和持续创新，基本半导体自主研发的众多性能卓越、品质可靠的碳化硅功率器件产品，被批量应用于光伏储能、直流快充、新能源汽车、工业及通信电源等领域，得到了市场的广泛认可。
01
2000V/1700V高压碳化硅MOSFET
为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，基本半导体基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。
其中，1700V 600mΩ碳化硅MOSFET可适配于组串式光伏逆变器和储能系统辅助电源的反激开关拓扑中，在提高辅助电源效率的同时，使辅助电源更安全可靠运行。
02
1200V 18mΩ 碳化硅MOSFET
为满足电机驱动、储能系统、大功率充电桩等领域的大功率应用需求，基本半导体研发推出了1200V 18mΩ 碳化硅MOSFET B2M018120Z，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点，可通过开尔文连接驱动，降低驱动回路的杂散电感。
03
第三代碳化硅MOSFET
B3M040120H/Z是基本半导体基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。
04
工业级碳化硅功率模块Pcore™2 E1B/E2B
继推出首款工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E2B以来，获得了工业市场的广泛关注。展会上，基本半导体继续推出PcoreTM2 E1B工业级碳化硅半桥MOSFET模块，产品采用集成的NTC温度传感器、PressFit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
05
工业级碳化硅半桥顶部散热MOSFET模块
B2M040120T和B2M080120T是基本半导体基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。
06
工业级碳化硅半桥MOSFET模块Pcore™2 ED3
针对工业应用，基本半导体推出的工业级碳化硅半桥MOSFET模块Pcore™2 ED3系列模块具有低开关损耗、可高速开关、降低温度依赖性、高可靠性等特点，结温可达175℃，与传统硅基模块具有相同的封装尺寸，可在一定程度上代替相同封装的IGBT模块，从而有效缩短产品开发周期，提高工作效率。
07
双通道隔离驱动芯片BTD25350系列
基本半导体推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。
展会现场，基本半导体展位人头攒动，前来交流洽谈碳化硅功率器件技术和产品的客户络绎不绝。未来，基本半导体将继续秉承“创新、品质、服务”的理念，不断加大研发投入，推出更多高性能、高品质的碳化硅功率器件产品，与全球合作伙伴携手共进，共同助力能源结构的绿色转型与可持续发展。
