基本半导体受邀出席2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛

田丽欣博士在演讲中分享了碳化硅行业的市场应用情况和技术发展趋势。她提到，未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。

为此，基本半导体研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

田丽欣博士还介绍道，随着技术迭代和市场认可度的不断提升，2028年碳化硅功率器件全球市场规模将超过89亿美元，年复合增长率为31%。目前越来越多的玩家涌进碳化硅赛道，市场竞争愈演愈烈，对碳化硅企业的研发与制造实力提出了更高的要求。作为国内碳化硅功率器件创新企业，基本半导体研发覆盖碳化硅功率器件的芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，掌握了先进的碳化硅刻蚀、栅氧、烧结、引线键合和塑封等技术。公司分别在深圳、无锡投产碳化硅芯片产线和汽车级碳化硅功率模块专用产线，是国内第一批碳化硅模块量产上车的头部企业；采用自研芯片的碳化硅功率器件已累计出货数千万颗，服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。

本次论坛由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟主办，为各方提供了一个交流、合作的平台，并充分展示了宽禁带半导体产业的创新活力和广阔前景。作为宽禁带半导体行业头部企业，基本半导体将继续携手各方力量，共同推动宽禁带半导体产业的持续创新与发展，为构建更加完善的产业生态贡献力量。