科普视频 | 谈混合式IGBT——硅FRD的正向恢复现象会增大IGBT的关断电压尖峰

发表时间:2024-04-18 17:00
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传统电力电子应用中,IGBT的续流二极管一般以硅基FRD(快恢复二极管)为主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力,对开关损耗是很大的拖累。为此,基本半导体研发推出了一种混合式IGBT(即混合碳化硅分立器件)来解决这一问题,即在IGBT中把续流二极管用碳化硅SBD(肖特基二极管)替代硅基FRD,可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放,开关损耗大幅降低

“SiC科普小课堂”——混合式IGBT话题第四讲来啦!基本半导体市场部总监魏炜老师将继续为大家介绍硅FRD的正向恢复现象会增大IGBT的关断电压尖峰,从而威胁到IGBT的安全,以及应用碳化硅肖特基二极管替代硅FRD将如何解决这一问题等内容。



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基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,在部分应用中可以替代传统的IGBT,使IGBT的开关损耗大幅降低,适用于储能(ESS)、车载充电器(OBC)、不间断电源(UPS)、光伏组串逆变器等领域。


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