科普视频 | 谈混合式IGBT—硅FRD的Snappy现象会限制IGBT的开通速度

发表时间:2024-03-13 18:20


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传统电力电子应用中,IGBT的续流二极管一般以硅基FRD(快恢复二极管)为主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力,对开关损耗是很大的拖累。为此,基本半导体研发推出了一种混合式IGBT(即混合碳化硅分立器件)来解决这一问题,即在IGBT中把续流二极管用碳化硅肖特基二极管替代硅基FRD,可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放,开关损耗大幅降低

今天的“SiC科普小课堂”,基本半导体市场部总监魏炜老师将继续带来混合式IGBT话题第三讲,主要介绍硅基 FRD反向恢复的Snappy现象对IGBT的开通速度的影响,以及用碳化硅肖特基二极管的替代解决办法,点击下方视频一探究竟!



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基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,在部分应用中可以替代传统的IGBT,使IGBT的开关损耗大幅降低,适用于储能(ESS)、车载充电器(OBC)、不间断电源(UPS)、光伏组串逆变器等领域。


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