基本半导体实力亮相NEPCON JAPAN日本国际电子展

发表时间:2024-02-29 18:54

近期,第 38 届日本国际电子科技博览会(NEPCON JAPAN)在东京有明国际展览中心(TOKYO BIG SIGHT)盛大举行,基本半导体携旗下全系碳化硅功率器件及驱动产品亮相这一亚洲电子行业盛会,吸引了众多行业人士驻足交流、洽谈合作。

NEPCON JAPAN 始于1972年,是亚洲最大的电子制造展览会之一。此次展会,汇聚了来自世界各地的数万名电子制造商、供应商和专业人士,是一场全球电子制造行业的盛会,也是连接全球消费者、创新者、制造者的重要平台。

基本半导体重点展示了自主研发的全系汽车级&工业级碳化硅功率模块、碳化硅MOSFET及二极管、门极驱动器、门极驱动芯片等产品,充分展示了公司在碳化硅功率器件领域的领先技术和创新能力。

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展品概览



汽车级碳化硅功率模块


基本半导体汽车级碳化硅功率模块产品采用全银烧结、DTS+TCB(Die Top System + Thick Cu Bonding)等前沿封装技术,在栅极输入电容、杂散电感、导通电阻等多项参数上达到国际先进水平,可有力支持车企实现电机控制器从硅到碳化硅的替代,显著提升整车效率,降低制造和使用成本。工业级碳化硅功率模块块

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工业级碳化硅功率模块



为更好满足工业客户对于高功率密度的需求,基本半导体推出工业级全碳化硅 MOSFET 功率模块PcoreTM2 E2B,该产品基于高性能 6英寸晶圆平台设计,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。产品可广泛应用于大功率充电桩、燃料电池DCDC器、数据中心UPS、高频DCDC变换器、高端电焊机、光伏逆变器等领域。

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第二代碳化硅MOSFET


基本半导体第二代碳化硅MOSFET基于6英寸晶圆平台开发,与上一代产品相比,拥有更低比导通电阻(降低约40%)、器件开关损耗(降低约30%),以及更高可靠性和更高工作结温(175°C)等优越性能,可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

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门极驱动器


针对大功率、高电压电力电子的应用场景,基本半导体旗下青铜剑技术推出的门极驱动器为650V~6500V功率器件提供不同的解决方案,可以适配包括EconoDual、PrimePack、62mm、IHM、压接模块在内的绝大多数模块,具有功率器件退饱和检测保护、有源钳位保护、米勒钳位保护、逻辑互锁、欠压保护、门极短路保护等功能,确保系统稳定、可靠的运行。

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门极驱动芯片


基本半导体门极驱动芯片可适应不同的功率器件和终端应用,产品包括单、双通道隔离驱动芯片和低边驱动芯片,绝缘最大浪涌耐压可达8000V,驱动峰值电流高达正负15A,可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求,产品具有更低传输延迟、更强抗干扰能力、更大驱动电流、更高可靠性等特点,可广泛应用于车载充电机(OBC)、新能源汽车主辅电机驱动、充电桩、光伏储能、不间断电源(UPS)、商用空调等领域。

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展会期间,基本半导体日本子公司研发部部长岩本進发表了技术演讲。

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日本当地的行业媒体EE Times Japan报道了基本半导体参展情况。

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      目前,基本半导体采用自研芯片的碳化硅功率器件已累计出货数千万颗,自主研发的汽车级碳化硅功率模块已收获了近20家整车厂和Tier1电控客户的30多个车型定点,是国内第一批碳化硅模块量产上车的头部企业。未来,基本半导体将继续深耕第三代半导体细分赛道,面向全球客户提供高性能高可靠性的产品和完善的服务,打造享誉世界的功率半导体行业品牌。



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碳化硅功率器件
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