科普视频 | 谈混合式IGBT—硅FRD的安全问题限制IGBT的开通速度

发表时间:2024-01-16 17:38
图片

传统电力电子应用中,IGBT的续流二极管一般以硅基FRD(快恢复二极管)为主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力,对开关损耗是很大的拖累。为此,基本半导体研发推出了一种混合式IGBT(即混合碳化硅分立器件)来解决这一问题,即在IGBT中把续流二极管用碳化硅SBD(肖特基二极管)替代硅基FRD,可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放,开关损耗大幅降低

今天的“SiC科普小课堂”,基本半导体市场部总监魏炜老师将继续为大家带来混合式IGBT话题第二讲,由于硅的FRD的反向恢复行为对杂散电感的敏感度很高,会限制IGBT的开通速度,那么将硅的FRD替换为碳化硅肖特基二极管后,会有什么不一样的表现呢?今天的课堂将围绕这一点为大家展开,点击下方链接,去了解究竟!







生产制造
碳化硅功率器件
新闻动态
关于我们
广东省深圳市南山区高新园区高新南七
道国家工程实验室大楼B座11层
总       机:0755-22670439
销售热线:0755-86713170(工业客户)
官方微信
深圳基本半导体有限公司
销售咨询
0755-86706526(汽车客户)
info@basicsemi.com inquiry@basicsemi.com(工业客户)
autobu@basicsemi.com(汽车客户)
友情链接:
|
|
投诉建议
|