科普视频 | 谈混合式IGBT——硅FRD拖累IGBT的Eon

发表时间:2023-12-15 18:07
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传统电力电子应用中,IGBT的续流二极管一般以硅基FRD(快恢复二极管)为主,而硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力,对开关损耗是很大的拖累。为此,基本半导体研发推出了一种混合式IGBT(即混合碳化硅分立器件)来解决这一问题,即在IGBT中把续流二极管用碳化硅SBD(肖特基二极管)替代硅基FRD,可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放,开关损耗大幅降低

今天的“SiC科普小课堂”,基本半导体市场部总监魏炜老师将围绕混合式IGBT这一全新话题,从反向恢复现象的角度对比续流二极管分别使用硅基FRD和碳化硅SBD时对开关损耗的影响,帮助大家深层理解混合式IGBT的技术逻辑和性能优势。点击下方链接,开课咯!







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