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Pcore™2
采用沟槽型碳化硅MOSFET芯片的低导通电阻转模型功率模块
汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块Pcore™2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。
该产品为业内主流DCM封装模块,采用先进的有压型银烧结工艺和高性能粗铜线键合技术,使用氮化硅AMB陶瓷基板,以及直接水冷的PinFin结构。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点,可支持连续运行峰值结温至175℃,以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。
产品特点
沟槽型、低RDS(on) 碳化硅MOSFET芯片
双面有压型银烧结
DTS(Die Top System)连接系统
高密度铜线绑定技术
高性能氮化硅AMB陶瓷板
直接水冷的PinFin结构
更低的热阻Rth(j-f)<0.09 K/W
应用优势
低开关损耗
低杂散电感
高输出功率密度
工作结温高达175℃(连续运行)
适配主驱逆变器应用优化特性
多种芯片并联组合形式
高可靠性
应用领域
新能源乘用车、商用车等的电力驱动系统
燃料电池能源转换系统
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