科普视频 | 碳化硅MOSFET的RDS(on)的构成情况

发表时间:2023-07-27 18:35
图片

在前几期的SiC科普小课堂中,我们了解到硅基MOSFET的RDS(on)电阻的主要贡献者是漂移区电阻,那么碳化硅MOSFET的RDS(on)电阻的主要贡献者中,除了漂移区电阻外,另外一个占比较大的电阻是什么?影响该电阻值的关键参数又有哪些?

今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将继续围绕碳化硅MOSFET的话题,为大家介绍RDS(on)的构成情况,以及降低该电阻、提高器件性能需要攻克的主要方向。


生产制造
碳化硅功率器件
新闻动态
关于我们
广东省深圳市南山区高新园区高新南七
道国家工程实验室大楼B座11层
总       机:0755-22670439
销售热线:0755-86713170(工业客户)
官方微信
深圳基本半导体股份有限公司
销售咨询
0755-86706526(汽车客户)
info@basicsemi.com inquiry@basicsemi.com(工业客户)
autobu@basicsemi.com(汽车客户)
友情链接:
|
投诉建议
|