在前几期的SiC科普小课堂中,我们了解到硅基MOSFET的RDS(on)电阻的主要贡献者是漂移区电阻,那么在碳化硅MOSFET的RDS(on)电阻的主要贡献者中,除了漂移区电阻外,另外一个占比较大的电阻是什么?影响该电阻值的关键参数又有哪些?
今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将继续围绕碳化硅MOSFET的话题,为大家介绍其RDS(on)的构成情况,以及降低该电阻、提高器件性能需要攻克的主要方向。