科普视频 | 碳化硅MOSFET的RDS(on)的构成情况

在前几期的SiC科普小课堂中，我们了解到硅基MOSFET的RDS(on)电阻的主要贡献者是漂移区电阻，那么在碳化硅MOSFET的R_DS(on)电阻的主要贡献者中，除了漂移区电阻外，另外一个占比较大的电阻是什么？影响该电阻值的关键参数又有哪些？

今天的“SiC科普小课堂”中，基本半导体市场部总监魏炜老师将继续围绕碳化硅MOSFET的话题，为大家介绍其R_DS(on)的构成情况，以及降低该电阻、提高器件性能需要攻克的主要方向。