科普视频 | 为什么说碳化硅MOSFET适合高压、高温、高功率密度应用？

众所周知，与硅材料相比，碳化硅材料在禁带宽度、临界击穿电场、热导率、电子饱和漂移速率等诸多方面有着更为优越的特性，使得碳化硅功率器件可广泛应用于高压、高温、高功率密度的场合中。这其中的根本原理是怎样的？今天的“SiC科普小课堂”中，基本半导体市场部总监魏炜将为大家进行深度解读，揭开碳化硅的神秘面纱。

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