科普视频 | 为什么说碳化硅MOSFET适合高压、高温、高功率密度应用?

发表时间:2023-06-08 18:12
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众所周知,与硅材料相比,碳化硅材料在禁带宽度、临界击穿电场、热导率、电子饱和漂移速率等诸多方面有着更为优越的特性,使得碳化硅功率器件可广泛应用于高压、高温、高功率密度的场合中。这其中的根本原理是怎样的?今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜将为大家进行深度解读,揭开碳化硅的神秘面纱。

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碳化硅功率器件
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