展会前沿 | 基本半导体携碳化硅MOSFET新品亮相SNEC国际光伏展

发表时间:2023-05-26 18:52
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5月24日至26日,SNEC第十六届(2023)国际太阳能光伏与智慧能源大会在上海新国际博览中心重磅举行。基本半导体携旗下第二代碳化硅MOSFET系列新品,以及全系汽车级碳化硅功率模块、碳化硅二极管、驱动IC、功率器件驱动器等产品亮相展会,携手光伏圈生态合作伙伴,共话新能源行业清洁、低碳、高效发展新路径。

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品鉴新品 共探新能源行业高效之路

近年来,全球光伏发电行业一路蓬勃发展。随着光伏逆变器功率等级的不断提高,光伏行业对功率器件的规格和散热要求也越来越高。相比于传统硅器件,碳化硅功率器件能带来更高的转换效率和更低的能量损耗,从而有效缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本等,在光伏行业呈现大规模应用趋势。 基本半导体始终致力于研发符合新能源行业需求的高可靠性碳化硅产品,在本次展会现场,众多碳化硅新品一经展出,受到广大客户及行业人士广泛关注。

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第二代碳化硅MOSFET


基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台开发,与上一代产品相比,拥有更低比导通电阻(降低约40%)器件开关损耗(降低约30%),以及更高可靠性和更高工作结温(175°C)等优越性能。产品类型也进一步丰富,可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

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SOT-227封装碳化硅肖特基二极管

对比硅的快恢复二极管,基本半导体碳化硅肖特基二极管无反向恢复电流,已在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用,可显著提升功率密度、减小损耗,优化散热,降低成本。

基本半导体推出的全新封装SOT-227碳化硅肖特基二极管,采用氮化铝(AlN)陶瓷基板,具有热导率高、强度高、热膨胀系数低等优点,氮化铝陶瓷基板热导率(170~230W/mK)是氧化铝陶瓷基板的9.5倍,热阻Rth(jc)低至0.12K/W,主用应用于射频电源等。

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在这一年一度的光伏盛会,基本半导体与新老客户相聚一堂,共同探讨光伏产业前沿技术与发展机遇,现场人气爆棚,气氛热烈。今后,基本半导体将持续深耕碳化硅产品应用,坚持以高价值的产品服务客户,助推光伏行业高质量发展,赋能清洁低碳的可持续未来。


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