科普视频 | MOSFET的漂移区如何承载电压？

各位小伙伴们，基本半导体“SiC科普小课堂”上新咯！

在上一期的SiC科普小课堂中，基本半导体市场部总监魏炜老师为大家介绍了漂移区和体二极管的概念，并指出在MOSFET截止时，漂移区是承担电压的主要角色。那么在MOSFET反偏时漂移区如何承载耐压？在提升MOSFET耐压的过程中，与硅材料相比，碳化硅材料拥有哪些优势？

本期的“MOSFET科普第七讲”中，魏老师将重点为大家解答这些话题，点击下方按钮，我们一起去视频里找答案吧！