展会前沿 | 基本半导体亮相第十三届亚洲电源技术发展论坛 斩获双料大奖

2月25日，基本半导体受邀参加第十三届亚洲电源技术发展论坛，公司技术营销总监魏炜以《深度发掘SiC SBD用于IGBT续流二极管的应用潜力》为题作技术分享。在同期举办的2022电源行业配套品牌颁奖晚会上，基本半导体凭借先进的技术实力和创新的产品能力，斩获「国产功率器件行业卓越奖」「功率器件-SiC行业优秀奖」双料大奖。

第十三届亚洲电源技术发展论坛由21Dianyuan主办，上百家企业于会议现场展示企业形象及旗下新技术、新产品，逾3000 名工程师精英们齐聚一堂，共同探讨前沿技术、分享实战经验，堪称工程师的年度技术盛会。

“现代尖端电力电子设备的性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力，对开关损耗是很大的拖累，需要高性能与性价比兼具的主开关器件。”讲座中，魏老师提出，在IGBT应用中，把续流二极管(FWD)用碳化硅肖特基二极管替代硅基FRD，可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放，开关损耗大幅降低。

为此，基本半导体推出的650V与1200V混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT，大幅降低了IGBT的开关损耗，特别适用于对功率密度提升有需求，同时更强调性价比的电源应用场景，如光储一体机、储能、车载电源充电机（OBC）、通信电源、高频DC-DC电源转换器等领域。

会上，基本半导体携旗下碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、汽车级碳化硅功率模块、混合碳化硅分立器件等最新产品亮相出展，吸引了众多行业人士的热烈关注。创芯无界，创新不止，基本半导体将持续以高性能、高可靠性的创新产品拥抱蓬勃发展中的碳化硅功率时代，助力中国“双碳“事业飞速发展！