展会前沿 | 基本半导体亮相第十三届亚洲电源技术发展论坛 斩获双料大奖

发表时间:2023-02-27 18:48
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2月25日,基本半导体受邀参加第十三届亚洲电源技术发展论坛,公司技术营销总监魏炜《深度发掘SiC SBD用于IGBT续流二极管的应用潜力》为题作技术分享。在同期举办的2022电源行业配套品牌颁奖晚会上,基本半导体凭借先进的技术实力和创新的产品能力,斩获「国产功率器件行业卓越奖」「功率器件-SiC行业优秀奖」双料大奖

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第十三届亚洲电源技术发展论坛由21Dianyuan主办,上百家企业于会议现场展示企业形象及旗下新技术、新产品,逾3000 名工程师精英们齐聚一堂,共同探讨前沿技术、分享实战经验,堪称工程师的年度技术盛会。

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《深度发掘SiC SBD用于IGBT续流二极管的应用潜力》

在上一届的亚洲电源技术发展论坛上,魏炜老师围绕碳化硅MOSFET技术作主题演讲,凭借对MOS技术的深刻理解,魏老师生动有趣、深入浅出的演讲风格吸引了众多工程师的热烈好评与持续关注。今年的论坛上,魏老师推陈出新,精心为大家准备了题为《深度发掘SiC SBD用于IGBT续流二极管的应用潜力》的主题报告,与大家进一步探讨碳化硅肖特基二极管的创新应用,再度收获了现场工程师们的点赞与支持!
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“现代尖端电力电子设备的性能升级需要提升系统功率密度、使用更高的主开关频率。而现有硅基IGBT配合硅基FRD的性能限制了IGBT的开通和关断行为的潜力,对开关损耗是很大的拖累,需要高性能与性价比兼具的主开关器件。”讲座中,魏老师提出,在IGBT应用中,把续流二极管(FWD)用碳化硅肖特基二极管替代硅基FRD,可使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放,开关损耗大幅降低

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为此,基本半导体推出的650V与1200V混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT,大幅降低了IGBT的开关损耗,特别适用于对功率密度提升有需求,同时更强调性价比的电源应用场景,如光储一体机、储能、车载电源充电机(OBC)、通信电源、高频DC-DC电源转换器等领域。

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会上,基本半导体携旗下碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、汽车级碳化硅功率模块、混合碳化硅分立器件等最新产品亮相出展,吸引了众多行业人士的热烈关注。创芯无界,创新不止,基本半导体将持续以高性能、高可靠性的创新产品拥抱蓬勃发展中的碳化硅功率时代,助力中国“双碳“事业飞速发展!

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