高管信息-和巍巍

发表时间:2022-10-31 16:10

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和巍巍,深圳青铜剑科技集团联合创始人,深圳基本半导体有限公司联合创始人、总裁。获清华大学电气工程专业学士学位、剑桥大学电力电子专业博士学位。国家“万人计划”科技创业领军人才、中国半导体行业协会理事、中国电源学会青工委秘书长,荣获中国专利优秀奖、中国电源学会科学技术奖优秀青年奖、“CASA第三代半导体卓越创新青年”等荣誉。

2009年联合创办青铜剑科技,2016年联合创办基本半导体,带领团队自主研发碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅模块、碳化硅驱动芯片等产品。


基本信息

中文名: 和巍巍

国   籍:   中国

籍   贯:   河南新乡

出生日期:1985年

毕业院校:河南省师范大学附属中学、清华大学、剑桥大学


人物经历

2003年,被保送至清华大学电气工程专业。

2007年,在剑桥大学师从Patrick Palmer教授从事先进电力电子器件和系统方面的研究,主要研究方向为功率半导体器件IGBT的仿真设计及应用,在功率半导体器件和应用领域专利十余项。在国际著名期刊和会议上发表了多篇论文,积累了丰富的研发经验。

2009年,联合创办青铜剑科技;2016年,联合创办基本半导体。先后承担包括国家工信部2020年产业基础再造和制造业高质量发展专项、2021年国家科技部重点研发计划、2022深圳市“揭榜挂帅”重点技术攻关在内的多项国家、省、市科技研发及产业化项目,取得了良好的经济效益和社会效益。

和巍巍博士现任深圳基本半导体有限公司总裁,全面负责基本半导体战略规划和运营管理。和巍巍博士带领团队自主研发工业级碳化硅MOSFET芯片、汽车级碳化硅模块、汽车级碳化硅MOSFET驱动等国内首创产品,打破了国外技术垄断,改变了我国在功率半导体芯片领域“缺芯少核”的局面,有力提升了国产第三代半导体芯片在关乎国计民生和国家安全领域的基础支撑作用。

基本半导体掌握领先的碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、封装测试、驱动应用等产业链关键环节,累计获得两百余项专利授权,核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等,性能达到国际先进水平,服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。


个人荣誉

2021年 获第六届电源科技奖获奖优秀青年奖

2021年 获中国电源学会电源领域“最美科技工作者”称号

2020年 获中国电源学会科学技术奖之优秀青年奖

2019年 获第四届“CASA第三代半导体卓越青年”称号

2018年 当选中国电源学会青年工作委员会秘书长

2017年 当选中国半导体行业协会理事

2009年 获国家教育部“春晖杯”创业大赛一等奖


生产制造
碳化硅功率器件
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