SiCer小课堂 | 更高性价比！基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管性能详解

第三代产品缩小了芯片面积，并沿用6英寸晶圆量产，产量将大大提高。

• 在常温25°C和高温120°C条件下，通过额定电流，测量二极管的V_F值；

• 相比之下，Gen3产品不论是在常温25℃还是在高温120℃的条件下V_F都比Gen1、Gen2更优。

V_F @25℃：Gen1> Gen2 > Gen3

测试条件：

输入电压 100V、220V

• 二极管在1500W电源上工作1小时，待热稳定后的满载效率对比；
• 在输入电压220V条件下，Gen3相比Gen1产品满载效率提高0.1% 。

• 二极管在1500W电源上工作1小时，待热稳定后进行温度对比；

• 从下图可以看出，虽然第三代产品芯片面积减小了，但温升效果并未因此变差，而是与前两代产品基本持平。

• 二极管固定在120°C的加热平台，通过额定电流（直流），温度稳定后测量V_F和温度；

• 相比之下，第三代产品的通流温度和V_F比Gen1、Gen2更优：

温度：Gen1> Gen2 > Gen3

VF：Gen1> Gen2 > Gen3

综上所述，基本半导体推出的第三代碳化硅肖特基二极管有以下优点：

• 更低V_F：第三代二极管具有更低V_F，同时V_F随温度的增长率也更低，使应用导通损耗更低。

• 更低Q_C：第三代二极管具有更低Q_C，使应用开关损耗更低。

• 更高性价比：芯片面积减小后，第三代二极管具有更高性价比。

• 更高产量：使用6英寸晶圆平台，单片晶圆产出提升至4英寸平台的2倍以上。