 碳化硅助力“算电协同”新发展 |
 覆盖650/1200V电压等级，支持工业与汽车级应用 |
 4月12日，“四川——清华校地合作创新发展大会”在成都举行。 |
检测能力达国际标准并实现全球互认 |
前 言目前，在实现“绿色能源”的新技术革命中，众多高频开关电源已经开始实现高功率因数校正技术（特别是在通信电源中），其中采用有源功率因数校正的居多。连续导电模式Boost变换器是电源系统中应用较广的功率因数校正变换器。在硬开关连续导电模...
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于
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碳化硅功率器件
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