一、碳化硅肖特基二极管的可靠性1、dv/dt、di/dt破坏通常情况下，当给硅快恢复二极管和碳化硅肖特基二极管施加过大的dv/dt 时，器件都有可能因过压而损坏，因此在碳化硅肖特基二极管器件设计使用过程中需参考规格书中的参数，避免此类问题的...

前   言目前，在实现“绿色能源”的新技术革命中，众多高频开关电源已经开始实现高功率因数校正技术（特别是在通信电源中），其中采用有源功率因数校正的居多。连续导电模式Boost变换器是电源系统中应用较广的功率因数校正变换器。在硬开关连续导电模...

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界

硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于