基本半导体生产100/150mm 碳化硅外延片，具有极佳的均匀性和极低的缺陷密度。针对不同规格要求，我们提供一套完整的碳化硅外延材料解决方案
▶ 针对带缓冲层或无缓冲层的厚外延层，低掺杂层厚度可高达250μm。
▶ 包含PN结和不同掺杂水平的多层结构。
▶ 在外延过程中嵌入和埋置指定结构和接触层。
浓度均匀性佳
250μm外延层的缺陷密度
高效的缓冲层外延技术
• 提供双极性SIC器件工艺 • 完美的实现从BPD转换到TED ð << 0.1 BPDs每平方厘米 • 防止晶体缺陷在生长开始时的成核
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