基本半导体生产100/150mm 碳化硅外延片，具有极佳的均匀性和极低的缺陷密度。针对不同规格要求，我们提供一套完整的碳化硅外延材料解决方案
浓度均匀性佳
250μm外延层的缺陷密度
高效的缓冲层外延技术
• 提供双极性SIC器件工艺
• 完美的实现从BPD转换到TED
ð << 0.1 BPDs每平方厘米
• 防止晶体缺陷在生长开始时的成核
