碳化硅外延材料
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基本半导体生产100/150mm 碳化硅外延片，具有极佳的均匀性和极低的缺陷密度。针对不同规格要求，我们提供一套完整的碳化硅外延材料解决方案

▶  针对带缓冲层或无缓冲层的厚外延层，低掺杂层厚度可高达250μm。
▶  包含PN结和不同掺杂水平的多层结构。
▶  在外延过程中嵌入和埋置指定结构和接触层。


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浓度均匀性佳


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250μm外延层的缺陷密度


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高效的缓冲层外延技术

   • 提供双极性SIC器件工艺　

   • 完美的实现从BPD转换到TED

   ð  << 0.1 BPDs每平方厘米

   • 防止晶体缺陷在生长开始时的成核


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