SiC器件定制
产品详情

根据客户的设计要求,整合基本半导体标准工艺模块,提供完整的器件定制工艺解决方案:

▶  完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制;

▶  全生产流程可控,标准化的工艺模块,包括高级的碳化硅深沟槽刻蚀,栅氧工艺及各种金属结工艺;

▶  根据客户需要提供器件设计、仿真、CAD制图的相关辅助,并提供晶圆测试和相关测试数据的分析报告。



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