碳化硅MOSFET
产品详情

碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。

应用领域：新能源汽车电机控制器、车载电源、光伏逆变器、光储一体机、充电桩、UPS、PFC电源等领域。


二代MOS封装图.png


产品优势


未标题-1-01.png未标题-1-02.png未标题-1-03.png未标题-1-04.png
更低比导通电阻更低器件开关损耗更高可靠性更高工作结温


碳化硅MOSFET

Voltage

RDS(on)

TO-247-3

TO-247-4

TO-247PLUS-4

TO-263-7

SOT-227


1200V

160mΩ

B2M160120H‍

B‍2M160120Z‍


B2M160120R‍


样品申请

80mΩ

B2M080120H‍

AB2M080120H‍‍

B2M080120Z‍‍

AB2M080120Z


B2M080120R‍‍

AB2M080120R


样品申请

65mΩ

B2M065120H

B2M065120Z


B2M065120R


样品申请

40mΩ

B2M040120H

B2M040120Z‍

AB2M040120Z


B2M040120R‍

AB2M040120R


样品申请‍

32mΩ



B2M035120YP



样品申请‍
*30mΩ*B2M030120H

*B2M030120Z


*B2M030120R
样品申请‍‍

20mΩ



B2M020120Y



样品申请‍

*18mΩ

*B2M018120H

*B2M018120Z


*B2M018120R

*B2M018120N

样品申请‍

*9mΩ



*B2M009120Y


*B2M009120N‍

样品申请‍
1700V

*1Ω

*B2M1000170H

*B2M1000170Z


*B2M1000170R


样品申请‍‍‍

*2000V

*24mΩ

Coming soon

样品申请‍‍

      : Automotive

      * : Under development, to be released.
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