车规级全碳化硅功率模块
产品详情


BMB200120P1 是基本半导体为新能源汽车主逆变器应用推出的车规级全碳化硅功率模块。该模块采用业内主流的单面水冷散热形式,为高效电机控制器设计提供便利。

单模块采用半桥拓扑结构,内部集成两单元 1200V/200A 碳化硅 MOSFET 和碳化硅续流二极管。单模块 200A 的输出电流能力可有效减少逆变器中功率器件数量,降低系统设计难度,同时提升系统可靠性。工程师可以根据设计要求选择是否并联使用或需要并联使用的数量,为设计选型提供更多灵活选择的空间。

BMB200120P1 采用基本半导体最新的碳化硅 MOSFET 设计生产工艺,在栅极电输入电容、内部寄生电感、热阻等多项参数上达到业内领先水平。


产品特点


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高输出电流能力

低栅极输入电容

低寄生电感

低热阻



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参数列表

Product

VDS

(V)

ID

(A)

RDS(on)(mΩ)

Qg

(nC)

Eon

(µJ)

Eoff

(µJ)

Package Name
BMB200120P1120020032---Pcell



技术文章
2020-07-23
2020-07-23
2020-07-23
2019-12-26
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