碳化硅肖特基二极管
产品详情

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/mK)使得功率半导体器件效率更高,运行速度更快,并且在设备的成本、体积和重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管,提供行业标准封装,具有优越的性能和极高的工作效率。


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产品优势


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零反向恢复抗浪涌电流能力强高温反向漏电低雪崩耐量高


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*:AEC-Q101进行中

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