碳化硅肖特基二极管
产品详情

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/mK)使得功率半导体器件效率更高,运行速度更快,并且在设备的成本、体积和重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管,提供行业标准封装,具有优越的性能和极高的工作效率。


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产品优势


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零反向恢复抗浪涌电流能力强高温反向漏电低雪崩耐量高


产品列表


产品类型

电流规格

TO-220

TO-247-3

TO-247-2

TO-257

TO-252-2

TO-263-2

650V

标准JBS

4A

B1D04065K




B1D04065EB1D04065F
6AB1D06065K


B1D06065EB1D06065F
8AB1D08065K


B1D08065EB1D08065F
10AB1D10065K



B1D10065F
15AB1D15065K




20AB1D20065KB1D20065HC



30A
B1D30065HC



40A
B1D40065HC



1200V标准JBS5AB1D05120K


B1D05120E
10AB1D10120KB1D10120HCB1D10120H
B1D10120E
15AB1D15120K




20AB1D20120KB1D20120HCB1D20120H


30A
B1D30120HC



40A
B1D40120HC



高温JBS5A


B1D05120M

10A


B1D10120M

20A


B1D20120M

1700V标准JBS5AB1D05170K
B1D05170H


10A
B1D10170HCB1D10170H


20A
B1D20170HCB1D20170H


高温JBS5A


B1D05170M

10A


B1D10170M

20A


B1D20170M



工艺制造服务
碳化硅功率器件
技术介绍
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