重磅推出碳化硅MOSFET l 基本半导体参加第二届国际电力电子技术与应用会议
发表时间:2018-11-07 10:40

11月4-7日,由中国电源学会与IEEE电力电子学会联合主办的第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重举行。基本半导体作为本次大会的金牌赞助商,重磅推出碳化硅MOSFET产品,反响热烈。

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作为全球性的电力电子行业盛会,IEEE PEAC 2018可谓大咖云集,来自31个国家和地区的电力电子学术界和产业界的800余位代表参加了本次会议。大会主席、中国电源学会理事长徐德鸿教授主持开幕式并致开幕词,美国工程院院士、中国工程院外籍院士李泽元教授,中国工程院院士臧克茂教授,IEEE-电力电子学会主席Alan Mantooth教授,美国电源制造商协会主席Stephen Oliver先生,韩国电力电子学会主席Eui-Cheol Nho教授等受邀出席本次会议。

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为期四天的博览会活动内容精彩纷呈,9场专题报告、12场专题讲座、52个技术报告分会场256场报告、10个工业报告分会场32场报告和墙报交流、设计大赛及颁奖仪式轮番登场。特邀专家以国际视野的全新角度,紧扣电力电子领域发展的不同热点议题,分享对于该领域的前瞻思考和独到见解,受到了与会者的热烈欢迎。

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基本半导体副总经理张振中博士受邀在功率器件应用分会场作技术分享,重点介绍了基本半导体自主研发的高性能碳化硅MOSFET产品。目前公司主推的1200V 碳化硅MOSFET具有短路安全工作区大、雪崩耐量高、反向击穿电压高和导通电阻低的特点。该产品完成了150度下2000小时的HTRB和HTGB可靠性试验,并通过多家客户的严苛测试认证,进入批量供应阶段。器件反向击穿电压达到1520V,在栅极电压20V、直流电压800V的短路条件下,可安全承受6微秒的短路时间;在栅极电压16V以上,器件可安全地进行并联工作。

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本半导体将凭借雄厚的研发实力和创新能力,继续加快产品创新步伐。张振中博士表示,碳化硅MOSFET产品开发将从分立器件逐步拓展到Compact系列封装和汽车级封装,覆盖新能源汽车电机控制器、车载电源、大功率充电模块、光伏逆变器等多个领域。

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基本半导体总经理和巍巍博士领取优秀合作伙伴奖

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大会期间,基本半导体展台人流如织,众多行业人士前来咨询碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品性能及应用情况,多家客户达成合作意向。基本半导体技术团队与国内外专家、学者和科研技术人员深入探讨电力电子发展新思想、新技术的同时,会老友、结新朋,共同助力电力电子产业生态的协同发展。


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