基本半导体荣获2020年度中国IC设计成就奖

发表时间:2020-07-02 16:23

6月28日,在上海举行的2020中国IC领袖峰会暨中国IC设计成就奖颁奖典礼传来喜讯,基本半导体车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1荣获2020年度中国IC设计成就奖之功率器件奖项!


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中国IC设计成就奖是中国电子业界最重要的技术奖项评选活动之一,由Aspencore旗下《电子工程专辑》、《电子技术设计》和《国际电子商情》联合主办,通过对中国的IC设计公司进行年度产业现状调查,评选和表彰优秀的IC设计公司、半导体前端制造、EDA工具和IP服务公司。最终结果由电子工程师、资深分析师和半导体业内人士投票评选产生,奖项和获奖者代表着行业的最高水准。基本半导体此次荣登榜单,代表公司研发实力和技术创新能力再次得到业界的肯定和认可。


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基本半导体自成立以来,致力于碳化硅功率器件的研发及产业化,自主研发高性能、高可靠性的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和车规级全碳化硅功率模块产品。此次获奖的车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1针对新能源汽车主逆变器设计,采用业内主流的单面水冷散热形式,为高效电机控制器设计提供便利。基于基本半导体最新的碳化硅MOSFET设计生产工艺,BMB200120P1在栅极电输入电容、内部寄生电感、热阻等多项主要参数上达到业内领先水平。


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在中美科技冷战和全球新冠疫情的大变局下,中国半导体产业的发展面临极大的挑战和难得的机遇。作为快速成长的中国半导体企业,基本半导体将继续加大对碳化硅功率器件的自主研发投入,不断深化技术、产品和管理的创新模式,积极推进第三代半导体的国产替代进程。


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