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基本半导体生产150mm 碳化硅外延片，具有极佳的均匀性，外延厚度最高可达250μm。针对不同规格要求，我们提供一套完整的碳化硅材料外延解决方案。
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针对带缓冲层或无缓冲器的厚外延层，低掺杂层厚度可高达250μm。
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包括PN结和不同掺杂水平的多层结构。
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在外延过程中嵌入或埋置指定结构和接触层。
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