外延技术

外延技术

副标题

    基本半导体生产150mm 碳化硅外延片，具有极佳的均匀性，外延厚度最高可达250μm。针对不同规格要求，我们提供一套完整的碳化硅材料外延解决方案。
▶  针对带缓冲层或无缓冲器的厚外延层，低掺杂层厚度可高达250μm。
▶  包括PN结和不同掺杂水平的多层结构。
▶  在外延过程中嵌入或埋置指定结构和接触层。
工艺制造服务
碳化硅功率器件
技术介绍
新闻动态
关于我们
SiC外延材料
SiC器件定制
碳化硅肖特基二极管
碳化硅PiN二极管
碳化硅MOSFET
裸芯片
车规级全碳化硅功率模块
SiC外延技术
工艺技术
外延技术
公司新闻
行业新闻
公司介绍
招聘职位
联系方式
咨询留言
深圳市南山区留学生创业大厦二期22楼
0755-22670439 info@basicsemi.com

ABUIABACGAAgu-b01AUo2YeNrAEwrgM4rgM
关注微信公众号
深圳基本半导体有限公司
媒体报道