3D SiC

3D SiC

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      基本半导体提供完整的设计和工艺方案,独有的3D外延技术(3D SiC),能够充分利用碳化硅的材料潜力,实现更高功率和更低损耗。通过掩埋掺杂栅极,在保持碳化硅高电压性能的同时减低器件表面电场,极大的提高器件的可靠性。3D SiC技术与普通的碳化硅器件设计方案相比,可以实现更低的肖特基势垒,和更高迁移率的MOSFET设计,进一步降低损耗30%以上,实现更高效的集成器件。

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