基本半导体出席第三届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会

11月25-26日，第三届全国新型功率半导体器件及应用技术研讨会在湖南长沙召开，大会吸引来自国内科研院所、高等院校以及功率半导体企业的众多学者和行业人士参加，基本半导体总经理和巍巍博士受邀出席并为大会作主题报告。

本次活动由中国半导体行业协会分立器件分会和株洲中车时代电气股份有限公司共同主办，旨在推动我国新型功率半导体器件技术水平进一步提高、加快其成果转化和应用推广、提高自主创新能力,是继厦门、昆明成功举办后,全国新型功率半导体器件及应用领域又一次重要的学术、技术交流活动。

和巍巍博士在题为《碳化硅电力电子器件技术与应用》的大会报告中提到，碳化硅器件经过十余年的发展与市场培育，现已进入高速发展期，产品将广泛应用在PFC电源、光伏逆变器、UPS、电动汽车、轨道交通、智能电网等领域。

因碳化硅材料具有耐高温、高压、高频的特性，碳化硅器件性能优势明显，有数据显示，采用碳化硅器件的电驱可以节省41%的体积和32%的重量，效率反而提高10%。美国、中国、欧洲、日本等国都将碳化硅材料列为国家重点发展领域，自2016起碳化硅等新材料功率器件市场容量以超过30%的年复合增长率增长，预计在2022年市场容量将超过18亿美元。

基本半导体是中外合资的新型碳化硅功率器件创新企业，现有4/6寸兼容碳化硅中试线一条，包括碳化硅器件研发生产所需要的材料外延，高温退火、光刻、离子刻蚀、欧姆氧化等多台关键设备，可以满足研发试制及小批量生产需要。

目前基本半导体推出了碳化硅二极管900V-10kV工程样品和1200V碳化硅MOSFET工程样品，其中1200/1700V二极管已进入产品化阶段。基本半导体特有嵌入式掺杂结构的技术特点，反向漏电流比传统结构低3个数量级，更利于高温(250℃)工作，抗浪涌电流能力强，产品各项指标均达到国际先进水平。

第三届全国新型功率半导体器件及应用技术研讨会为广大技术工作者和行业人士提供了一个高起点、大范围、 多领域的交流平台，将极大增进产、学、研之间的技术交流，推动新型功率半导体创新合作进入新时代，激活行业发展新动能。