碳化硅功率器件
工艺制造服务
各电流电压等级的标准及高温应用 JBS二极管,平面、沟槽MOSFET,
10kV以上PiN二极管,各项性能指标达到国际领先水平。
可为客户提供650V-10kV碳化硅二极管流片定制工艺服务,以及各类规格参数外延定制化服务,最大可达250微米。
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APPLICATION
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4月11日,在 2018 中国电子信息博览会期间,“第三代半导体技术及应用高峰论坛”同期举行。该论坛由国家集成电路...

4月9日上午,国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研。基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍...

3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半导体产业技术创新战略联盟、基本半导体和南方科技大学等单位发起共建的深圳第三代半导体研究院...

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