碳化硅功率器件
工艺制造服务
各电流电压等级的标准及高温应用 JBS二极管,平面、沟槽MOSFET,
10kV以上PiN二极管,各项性能指标达到国际领先水平。
可为客户提供650V-10kV碳化硅二极管流片定制工艺服务,以及各类规格参数外延定制化服务,最大可达250微米。
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硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于

11月30日,历时2个多月的第四届“第三代半导体卓越青年”评选活动公布最终结果,基本半导体总经理和巍巍成功入选。

近年来,新技术革命正重构全球竞争发展格局,针对半导体领域的国际交流合作也日益频繁。11月,中美、中德及中瑞高峰

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